多方阶段Ingaas雪崩光电二极管具有增强的增益和减少多余的噪声
2022年3月16日
多方阶段Ingaas雪崩光电二极管具有增强的增益和减少多余的噪声
2022年3月16日
乔治·威廉姆斯（George Williams），麦迪逊·康普顿（Madison Compton）和安德鲁·亨廷顿（An亚博棋牌游戏drew S. Huntington）
新墨西哥大学高科技材料中心Majeed M. Hayat的David A. Ramirez；
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本文基于：G。M. Williams，M。Compton，D。A. Ramirez，M。M. M. Hayat和A. S. Huntington，“ IEEE EEEE Society，Vol Vol of Eeye journal of Elector of Elector of Elector of Eeye。1，不。2，第54-65页，2013年2月，doi：10.1109/ jeds.2013.2258072。
抽象的
报告了INGAAS雪崩光电二极管（APD）的设计，制造和测试，用于950–1650 nm波长传感应用。亚博尊贵会员APD由晶格匹配的Ingaas和Inalas合金的INP底物上的分子束外延生长。APD内部内部的雪崩繁殖发生在一系列不对称增益阶段中，其层排序起作用以提高电子发起的撞击电离速率，并抑制以低增益运行时的孔发射电离速率。乘法阶段是串联的，与载体松弛层插入，其中电场低，以防止阶段之间的雪崩反馈。这些措施导致多余的乘法噪声（在更高的雪崩增益下的稳定的线性模式操作）要低得多，而不是由同一半导体合金制造的APD的特征。通过对影响离子化的空间分布和增益统计数据进行模拟来分析噪声抑制机制，并提供了实施该设计的APD的测量。证明采用该设计的设备可以以线性模式增益超过6,000，而无需雪崩故障。在1,000多次超过1,000的增长下测量了以低于0.04的有效撞击离子率比率为特征的过量噪声。