比较功率金属氧化物半导体和双极功率晶体管

比较功率金属氧化物半导体和双极功率晶体管

金属氧化物半导体	双相
多数载流子器件	少数载流子的设备
没有电荷存储效果	电荷存储在基地和收藏家
高开关速度,不如双温度敏感设备	开关速度低,温度敏感
漂流(快速流程)	扩散电流(缓慢的过程)
电压驱动的	电流驱动的
纯电容输入阻抗;不需要直流电流	低输入阻抗;直流电流要求
简单的驱动电路	高基极电流产生复杂的驱动电路(需求)
Predominently负温度系数电阻	集电极电流的正温度系数
没有热失控	热失控
设备可以平行的一些预防措施	设备不能简单的因为V是匹配问题和局部电流的浓度
第二次击穿的影响较小	容易受到第二次故障
在低电流平方律电流-电压特性;在高电流线性电流-电压特性	指数电流-电压特性
更大的线性操作和更少的谐波	更多的相互调制和交叉调制产品
低导通电阻(低饱和电压)因为电导调制高电阻率的漂移区域	高导通电阻,因此更大的传导损失
漏极电流与通道宽度成正比	集电极电流大约与发射极条纹长度和面积成正比
低跨导	高跨导
高击穿电压的结果轻掺杂区域的通道阻塞连接	高击穿电压的结果轻掺杂区基地收集器阻塞连接