用Allegro霍尔效应传感器IC设计大电流传感用集中器的指南亚博尊贵会员

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作者:塞德里克·吉列和安德烈亚斯·弗里德里希
亚博棋牌游戏Allegro微系统有限责任公司

与任何半导体器件一样,Allegro的集成电流传感解决方案™ 报价可以限制在最大允许电流和绝缘电压,他们可以容忍。能量耗散和封装尺寸是限制参数。对于大电流应用(>200A),Allegro建议使用带有霍尔效应传感器IC的磁性集中器(图1)。该系统由一个围绕电流导体的铁磁集中器组成,设计有一个小窗口,称为亚博尊贵会员气隙,其中放置传感器IC。本文的目的是为设计大电流集中器提供基本指导。

图1

图1。带集中器的典型大电流传感系统。

介绍

集中器将通过导体的电流产生的磁通线聚焦在气隙的中心,霍尔效应磁传感器IC位于该中心。集中器(也称为磁选机)的效率核心)因此,电流传感系统的性能主要取决于以下因素:

  • 芯材
  • 核心尺寸
  • 气隙
  • 岩芯几何形状

以下各节将逐一详细介绍这些因素。

浓缩器材料

选矿厂材料的选择取决于渗透性、电阻率和成本之间的微妙折衷。为了将磁通线集中在传感元件上,磁芯在大电流下不得饱和。因此,它必须具有相对于空气的高磁导率,但不能像永磁材料那样高,以避免在暴露于大电流后产生不希望的残余磁化,从而产生测量滞后。硅铁(FeSi)或镍铁(FeNi)等铁合金系列最常用于电力应用,因为它们具有高磁导率和高饱和点(图2)。亚博尊贵会员

图2

图2。FeSi(3%)和1010钢的磁芯增益。对于相同的磁芯,FeSi产生更高的增益斜率(1g(高斯)=0.1mt(毫特斯拉))。

铁的缺点是电阻率低,容易受到涡流(感应反向电流)的影响,从而降低了频率域的电流测量精度。为了将这种影响降到最低,铁必须被合金化为导电性较差的材料,如硅。此外,建议使用厚度通常为0.3 mm的层对芯进行层压,这将显著减少涡流(层越薄,涡流越小)(图3)。每一层还必须涂上硅,以提高效率。

图3

图3。散装材料(左)和层压材料(右)中的涡流。层压材料减少了涡流。

其他材料,如羰基铁、非晶态金属或铁氧体,乍一看似乎很有吸引力,但由于其磁性随时间的退化(羰基铁)或磁滞较大(非晶态金属),今天不推荐使用。即使铁氧体具有较低的成本和较高的电阻率(最大限度地减少涡流),它们也具有较低的磁导率和相当低的饱和点,这使得它们不太适合高电流应用。亚博尊贵会员

集中器尺寸

假设是一个圆形的环形芯,其尺寸由其外径(O.D.)、内径(I.D.)和厚度(T)的尺寸确定(图4)。所有三个都定义了气隙处的核心横截面面积。

图4

图4。集中器尺寸

在固定气隙长度(E)和横截面积下进行的磁模拟表明,最佳磁芯宽度(W)约为3至4 mm,以获得最佳磁浓度(图5)。

图5

图5。磁场与磁芯宽度的关系。在气隙中心测量磁通密度(B)(1 G(高斯)=0.1 mT(毫特斯拉))。

附加的磁性评估表明,磁芯直径越大,饱和点越高。同样,岩芯的横截面越大,饱和点越高。需要注意的是,集中器的直径(假设外径和内径之间的宽度W恒定)不会显著影响其磁增益,而只影响其饱和点(图6)。

图6

图6。磁芯截面和直径对磁场通量密度(B)的影响。相对直径对磁增益没有显著影响,但会影响磁芯的磁饱和点。

显然,浓缩器的直径和横截面应该尽可能的大。此外,建议在电流导体和集中器之间留出至少3至4 mm的间距(图4中的S),以确保集中器在较高电流下不会饱和。

浓缩器气隙

气隙长度(E)直接决定了系统的增益,是集中器设计的关键参数。气隙越小(在恒定横截面积下)增益越高。但是,如果气隙过窄,磁芯的残余磁滞会变得显著,从而降低较小电流下的精度性能。建议的气隙在3到5 mm之间。气隙显然必须根据传感器封装厚度进行调整。图7显示了具有不同气隙的集中器的不同增益。

图7

图7。气隙对磁场磁通密度的影响。较小的气隙会产生较大的磁增益,但在较小的气隙处出现的饱和点会限制电流感应范围。

集中器几何结构

只要集中器将磁通线聚焦在传感元件上,集中器的几何结构就不会对系统产生巨大影响。通常,磁芯是圆形的,以将磁通线集中在一个方向上,并避免角度效应,但矩形集中器也可以使用。对于矩形磁芯,建议将磁芯的内角磨圆,以避免磁集中效应(图8)。在铁心的外侧,圆角不太相关,因为这些拐角离导体更远。

图8

图8。矩形集中器配置。同样的设计规则适用于环形集中器。此外,内角和外角(可选)必须圆角以避免角度效应。

结论

大电流传感应用(>200A)集中器的设计应通过应用以下规则进行优化:亚博尊贵会员

  • 铁心应采用硅铁或芬尼铁。
  • 磁芯必须层压并涂上硅材料。
  • 芯直径应尽可能大,具有较大的固体材料横截面(最小25 mm2).
  • 集中器的宽度应该在3到4毫米左右。
  • 在所有方向上,铁芯和导线之间的最小间隔距离为3至4 mm。
  • 气隙应为3至5 mm。
  • 非圆形集中器形状必须在内角尽可能圆。

KT封装中的Allegro线性传感器IC,例如A1363LKT型,非常适合这些大电流传感系统。