Hall-Effect-Sensor-Technology

霍尔效应是埃德温·霍尔的名字命名,他在1879年发现一个电压潜在发展在载流导体板当磁场穿过板在一个方向垂直于这个平面板,见图1的上半部分。蓝色箭头B表示垂直穿过导电板的磁场。这种结构称为平面霍尔效应传感器。

霍尔效应背后的基本物理原理是洛伦兹力。当一个电子沿着垂直于外加磁场的方向v移动时,它会受到一个力F,这个力F同时垂直于外加磁场和电流。作为对这个力的响应,电子沿着导体(霍尔元件)沿着弯曲的路径移动。因此,一个净电荷,也就是一个电压,在平板上产生。利用这一特性,利用霍尔效应作为磁传感器。

Allegro霍尔效应传感器集成电路(ic)将霍尔元件与其他电路,如运放和比较器,以制造数字位置传感器速度传感器,以及线性和角度传感器与模拟输出。

APS11205框图

在许多情况下,Allegro磁性传感器集成电路也包含了专有封装,其中包括一个“反向偏置”磁铁,使传感器能够感知铁(磁性)目标的位置,而不是外部磁场。目标,例如,一个钢齿轮,修改磁场从集成磁铁。差分传感和先进的算法用于优化性能,补偿动态或突然的气隙变化,振动和机械公差。

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霍尔效应传感器也可以用于非接触电流检测,因为导体中的电流会产生与电流大小成正比的磁场。独特的包装创造电隔离,小的足迹电流传感电路具有非常低的插入损耗。

自成立以来,Allegro率先在霍尔效应传感器ic领域取得了多项重大进展,包括斩波稳定化、垂直霍尔效应技术、圆形垂直霍尔(CVH)阵列和非侵入式高速硬件诊断。