A1391、A1392、A1393和A1395

说明

A139x系列线性霍尔效应传感器集成电路(IC)提供与外加磁场成正比的电压输出。在放大之前,典型霍尔效应集成电路的灵敏度(单位:mV/G)与流过集成电路内部霍尔效应传感器元件的电流成正比。在许多应用中,如果不消耗超过3毫安的电流,霍尔效应传感器集成电路很难达到足够的灵敏度水平。A139x通过添加用户可选择的睡眠模式,将电流消耗降至25µA以下。这使得这些设备非常适合电池供电的应用,例如:手机、数码相机和便携式工具。最终用户可以通过向应用逻辑电平信号来控制A139x的电流消耗亚博尊贵会员睡眠别针。在休眠模式下,设备的输出无效(高阻抗模式)。高阻抗输出特性允许将多个A139x霍尔效应器件连接到单个a-D转换器输入。

这些设备的静态输出电压是施加在设备的VREF引脚上的额定比率电源参考电压的50%。设备的输出电压与电源引脚不是成比例的。

尽管A139x中的电路功耗较低,但生产高精度线性霍尔效应IC所需的功能并未受到影响。每个BiCMOS单片电路集成了霍尔元件,改进的温度补偿电路,以减少霍尔元件的固有灵敏度漂移,小信号高增益放大器和专有的动态偏移消除电路。下线,后包装,工厂编程允许设备灵敏度和偏移的精确控制。

主要功能

  • 睡眠模式下的高阻抗输出
  • 与2.5至3.5 V电源兼容
  • 激活模式下的10 mW功耗
  • 微型MLP封装
  • 比率输出与比率电源参考电压(VREF引脚)成比例
  • 温度稳定的静态输出电压和灵敏度
  • 环境温度范围宽:–20°C至85°C
  • 大于3kV的ESD保护
  • 固态可靠性
  • 最终测试时的预设灵敏度和偏移量

零件号规格和可用性

零件号 包装类型 温度 RoHS
合规
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包装

这些设备可在一个小的2.0×3.0毫米,0.75毫米标称高度的微引线封装(MLP/DFN),后缀EH。它是无铅的,100%哑光锡铅框电镀。

裕利安怡DFN